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年加材料人投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。本文提出的定点策略是一种有效的掺杂有机半导体方法，快电与随机分布的置换杂质的常规氧化还原化学不同。

作者简介何涛，力市绿电绿证山东大学晶体材料研究所教授，博士生导师,泰山学者青年专家,齐鲁青年学者。通过掺杂机制，场化可以修复晶体表面特定的台阶边缘（被证明对传输害）。同时，深化表面掺杂化学专门针对晶体台阶边缘，即已知的电子陷阱，同时钝化陷阱并释放流动电子，对电子传输具有深远的影响。

电力等交4）柔性器件和气体传感器方面的应用。（c，现货d）掺杂的PDIF-CN2单晶的AFM形貌和SKPM电位图像。

有机半导体晶体中这种特定位置的陷阱消除和掺杂提供了一种通用策略，贵州改革在这种策略中，目标掺杂选择性地擦除陷阱状态的影响。

尽管如此，年加人们对有机半导体中化学掺杂的许多结构和电子方面仍然知之甚少，年加特别是对于单晶或多晶体系，其中强烈的各向异性分子间相互作用、晶体缺陷和微观结构决定了掺杂机制和电离效率。为了进一步了解纳米孪晶Ti的热稳定性，快电本工作进行了原位透射电镜加热实验。

从宏观上看，力市绿电绿证这表现为应变硬化速率上升后的平台延长。由于Ti在结构金属间具有相当高的熔化温度(1941K)，场化因此作者推断纳米孪晶结构的有用性依赖于Ti的热稳定性。

然而，深化即使在微尺度孪晶组分饱和(~70%)时，深化纳米孪晶密度似乎仍在不断增加，直到塑性变形结束时严重的孪晶交叉和孪晶界旋转开始发挥作用，这可以从TEM中很明显观察到。一般来说，电力等交纳米晶体金属在高温下稳定性会逐渐下降，因为在奥斯特瓦尔德成熟过程中，晶粒生长会消耗大量的界面。